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*今後の予定 [#n9519331]
&color(Red){★2013年6月28日（金）13:30-14:30};
''場 所：''理313教室
''講演者：''Roland Resel 教授（グラーツ工科大学, オーストリア）
''講演題名：''「Buried interfaces in organic electronic devices: X-ray reflectivity studies 」
''講演概要：''
>The properties of the interfaces are crucial for the performance of electronic devices, since the charge transport at metal / semi-conducting interfaces as well as along the semiconducting / dielectric interfaces are strongly determined by the interface properties. In organic electronic devices besides the interface roughnesses also the orientation of the molecules at the interface is crucial due to the large anisotropy of the charge transport. The talk will show how surface sensitive x-ray scattering techniques like x-ray reflectivity and grazing incidence x-ray scattering can be used to characterize buried interfaces in organic electronic devices. Examples on thin film transistors and organic photodiodes will be given. The properties of metal / organic interfaces and polymer / polymer interfaces will be described on specific examples and the influence to device performances will be discussed.
&color(Red){★2013年7月5日（金）16:20-17:20};
''場 所：''理313教室
''講演者：''野田幸男先生（東北大学名誉教授）
''講演題名：''磁気誘起強誘電体と有機物強誘電体 −新奇な強誘電体と構造物性−
''講演概要：''
>誘電体は実用的な面も含めて長い研究がある。強誘電体の発見は1921年のロッシェル塩のDEヒステリスループの報告が最初（Phys. Rev. 17 (1921) 475）といえるが、それいらい100年近くがたっている。全ての学問で、ある分野に属する新物質の発見とその数は相転移の「核形成−ドメイン成長」と同じ曲線をたどって飽和してしまう。強誘電体の分野も同じ道をたどっていたが、「磁気誘起強誘電体」、「有機物強誘電体」などの新分野が起こったことにより、新たな局面、新たな時代を迎えている。本講演では、この新しい強誘電体の概要と実験的側面、特にＸ線や中性子による構造物性研究について解説する。
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*過去の談話会 [#d1ecb0df]
&color(Red){★2012年8月8日（水）16:20-17:20};
''場 所：'' 理学部313教室
''講演者：'' 武田信一 先生（九州大学大学院 理学研究院 物理学部門 教授）
''講演題名：''超イオン導電ガラス及び溶融Ag_x(GeSe_3)_1-x の構造
''講演概要：''
> Ag x (GeSe3)1-xは0<x<0.565の範囲で溶融状態から急冷することにより容易にガラス課する事が知られており、このガラス物質はAgの増加につれてx=0.3近傍でイオン伝導度が10-14から10-4 S/cmへと10桁にも及ぶ急激な遷移をする興味深い物質である。この高いイオン伝導度の状態は液体電解質のイオン伝導度の大きさと同程度である事から「超イオン導電体」と呼ばれている。
> この高いイオン伝導度への遷移における構造変化の詳細を調べる目的でガラス状態のAgx(GeSe3)1-x についてAgの濃度を変えてX線及び中性子線回折により構造を測定し、その測定結果とリバースモンテカルロモデリング(RMC)法を用いた解析から詳細な部分構造を得ると共に原子の3次元構造の空間配位やGe-SeのネットワークとAgイオン間の相関を調べてきた。
> RMC構造モデリングからはGe-Seの部分構造因子はAg濃度の多いガラス組成でも明瞭に残っており、Agの濃度が変化しても変わらないし、また結合角Se-Ge-Seも変化しないが、Se-Agの部分構造因子や結合角Ag-Se-AgなどはAgの濃度と共に変化する。従ってGe-Seの四面体配位のユニットはAgの濃度が変化しても変わらないが、四面体配位の頂点にいるSe原子の周りの環境はAgの濃度と共に変化し、規則性を失って行く。またGe-Seの四面体は保たれているが、GeSe4の四面体ネットワーク間の相互の関係は乱雑さを増していくなどの結果が得られた。
> このAgとGe-Seのネットワークを視覚化した図によると0<x<0.3の組成のイオン伝導度の低い領域では比較的カルコゲンネットワークが繋がっていて、Agの分布がカルコゲンネットワークに遮られ、孤立している。しかしx=0.5､0.565ではAgイオン同士が見かけ上、数個鎖状に連なった部分が存在し、これがイオン伝導度の大きな遷移に起因している。
> またこのガラスの溶融状態における構造測定から、構造因子のFSDPは融解しても観測されるが、その強度は温度の上昇と共に小さくなる。またRMC解析からガラスにおけると同様にGe-Seの四面体配位は温度が上昇しても変わらないが、四面体配位の頂点にいるSe原子の周りの環境や中距離秩序は融解後、乱雑さが増加するものの、高温でもFSDPは観測されることから、ネットワーク間の規則性は残っている事を示唆している。
&color(Red){★2012年8月15日（金）14:40-15:40};
''場 所：'' 理学部313教室
''講演者：'' 細谷暁夫先生（東京工業大学 名誉教授）
''講演題名：''「弱値と弱測定」
''講演概要：''
>最近、量子状態をほとんど壊さずに量子状態を判定する「弱測定」の実験報告が数多く報告されている。そこで計測されるある物理量の「弱値」の概念は３０前からアハロノフ達が主張して来たものであるが、最近の理論的研究の深化でより深い量子力学における基本的な量であることが明らかになって来た、と思う。私自身の仕事も含めて説明したい。
&color(Red){★2012年10月30日（火）17:00-18:00};
''場 所：'' 理学部313教室
''講演者：'' 葛西真寿先生 （弘前大学 教授）
''講演題名：''Λで光は曲がるのか？---光の曲がりとレンズ方程式に対する宇宙定数の影響---
''講演概要：''
>一般相対論の古典的検証として，惑星の近日点移動や太陽重力による光の曲がりの観測がある．従来，宇宙定数は光の曲がりに影響を与えないとされてきたが，最近 Rindler と Ishak は，従来の定説を覆し，宇宙定数は光の曲がりに寄与すると主張している．果たして宇宙定数は本当に光を曲げるのだろうか？ それとも...？
>本講演では，世の混乱をおさめるべく最近まとめた論文の内容を紹介し，光の曲がりに対する宇宙定数の影響を明らかにする．
>
>参考文献: Phys. Rev. D 85, 023006 (2012)
&color(Red){★2012年11月９日（金）16:20-};
''題目："量子モンテカルロ法によるスピンパイエルス系の相転移解析
''講師：''諏訪 秀麿 氏（ボストン大学）
''場所：'' 理313教室
''概要：''
>スピンパイエルス系は量子スピンとフォノンが結合し実効的にスピン間フラストレーションが生じることで興味深い物性を示す系である。その特徴的な 相転移であるスピンパイエルス転移は、多くの有機・無機物質で実験的に観測され、また理論的解析も古くから盛んに行われている。しかしフォ ノンのエネルギースケールがスピンと同程度となる場合の解析は容易でなく、その臨界現象は未解決の問題であった。我々はこの系に対し効率的な量子 モンテカルロ法を開発し、大規模な系の計算を可能とした。さらに量子モンテカルロ法とレベルスペ クトロスコピーを組み合わせる解析法を考案し、基 底状態相図と臨界現象を明らかにした。本発表ではスピンパイエルス系に対するこれまでの研究をレビューした後、我々の基底状態・有限温度の計算を示し、実験との比較を述べる。
&color(Red){★2012年11月15日（木）16:20-};
''題目：''走査トンネル顕微鏡発光による振動分光
''講師：'' 上原洋一先生（東北大学電気通信研究所教授）
''場所：'' 理313教室
''概要：''
>走査トンネル顕微鏡（STM）の電子トンネルにより可視発光が励起される（STM発光）。STM発光スペクトルを解析することにより探針直下の個々の分子やナノ構造の振動数が決定できることについて紹介する。トンネル電子励起発光に振動数が反映される機構についても議論する。
&color(Red){★2013年1月10日（木）16:20-};
''場所：''理313教室
''講師：''濱田幾太郎先生（東北大学WPI-AIMR 助教）
''題目：''金属・分子界面の密度汎関数理論に基づくシミュレーション
''概要：''
>分子と固体表面の相互作用は（光）触媒、電気化学、分子エレクトロニクスなど様々な分野で重要な役割を果たす。分子と固体の界面で起こる現象の機構を解明し、（高効率な）機能性界面の設計をするためには、界面の構造と電子状態を詳細に理解することが本質的に重要である。しかしながら、分子と固体といった異なる相互作用（共有結合、金属結合、水素結合、ファン・デル・ワールス相互作用など）を持った物質の界面を理論的に取り扱うことは容易なことではない。
>近年、理論的手法の発展と計算機の高速化により、そのような異種物質で構成された界面のより精度の高いシミュレーションが可能になりつつある。本講演ではファン・デル・ワール力を密度汎関数理論の枠組みで取り扱うことが可能なファン・デル・ワール密度汎関数を概説し、その応用として金属表面上における水、有機分子などの最近の研究結果を紹介する。
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[[2011年度の談話会]]
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[[2008年度の談話会]]
[[2007年度の談話会]]
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