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令和6年2月13日(木) 理A313教室

講座発表者氏名論 文 題 目時間
物質基礎学岡部孝俊フラストレート近藤化合物${\rm Ce}_5{\rm Si}_3$の${\rm Ga}$置換${\rm Ce}_5{\rm Ga}_x{\rm Si}_{3-x}(x=0.4\sim0.6)$における反磁性秩序抑制の研究9:30〜 10:00
物質基礎学玉城良仁反強磁性体におけるボンド欠損による相関関数の増大の研究10:00〜 10:30
物質基礎学山内幹仁降着円盤形成に向けた格子ボルツマン法コード開発10:30〜 11:00
物質基礎学富井大海希土類元素を用いた磁性ハイエントロピー合金の合成と物性解析11:00〜 11:30
物質基礎学叶雄希第一原理分子動力学法による${\mathrm  RbAg}_4{\mathrm I}_{5}$のイオン拡散メカニズムの研究11:30〜 12:00

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Last-modified: 2025-02-11 (火) 09:16:16 (68d)